Höhere Speicherdichte
dank BiCS FLASH™ 3D Technologie

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KIOXIA e-MMC für die Industrie

Höhere Speicherdichte dank BiCS FLASH™ 3D Technologie
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Archiv | 06.08.2020 | Der Bedarf an höheren Speichergrößen wächst in allen Bereichen der Consumer- und Industrie-Märkte. Um hier kontinuierlich wettbewerbsfähige Produkte zu entwickeln, steigt die Nachfrage für kosten- und technologie-optimierte Speicherlösungen.

KIOXIA, vormals TOSHIBA Memory, bietet nun seine 3D Flash-Speichertechnologie BiCS FLASH™ in seinen e-MMC Speichersystemen an. Ausgeführt in der zuverlässigen Charge-Trap Zellstruktur erhalten Sie eine langfristig verfügbare wie kostengünstige Industrie-Lösung für die JEDEC-standardisierte eMMC Schnittstelle.

 

BiCS FLASH™ speichert hohe Datenmengen auf effiziente Weise.

Die Vorteile der Charge Trap Struktur

Herkömmliche NAND-Flash e-MMCs verwenden Floating-Gate-Zellen zur Datenspeicherung. Um eine höhere Lebensdauer und Skalierbarkeit des Speichers zu erreichen, setzt KIOXIA auf Charge-Trap-Zellen. Speicher in Charge-Trap-Technologie arbeiten deutlich zuverlässiger. Zusätzlich bieten sie eine höhere Speicherdichte pro Chipfläche. Sie verbrauchen weniger Energie und sind schneller zu programmieren.

 

Ideal also für den Einsatz in industriellen Applikationen.


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