Im Vergleich zu den bisherigen StrongIRFET™-Bauteilen im Bereich von 40 V bis 100 V bietet die neue Technologie einen um bis zu 40 Prozent verbesserten Einschaltwiderstand (RDS(on)) sowie eine um bis zu 60 Prozent geringere nominale Gate-Ladung (Qg). Zusätzlich ermöglichen höhere Nennströme eine verbesserte Strombelastbarkeit und die neue Generation eignet sich sowohl für hohe als auch für niedrige Schaltfrequenzen.
Standard-Pinouts ermöglichen einen einfachen Drop-in-Austausch. Die MOSFETs sind 100 Prozent sicherheitsgeprüft, RoHS-konform, halogenfrei nach IEC61249-2-21 Produktvalidierung und erfüllen den JEDEC-Standard. Dank ihrer Eigenschaften sind sie prädestiniert für eine große Bandbreite an Anwendungen z. B. für USV, Batterie-Management oder Motorantriebe.
Die Transistoren sind auf Lager und in verschiedenen Gehäuse-Varianten wie z. B. TO-220; TO-220 FullPAK, D2PAK, D2PAK 7-pin, DPAK und TOLL verfügbar.
Weitere Merkmale im Überblick:
- Ausgezeichnetes Preis-/Leistungsverhältnis
- Industriestandard-Gehäuse mit Durchgangsbohrung
- Passgenau und robust
Beispiele für Anwendungsmöglichkeiten:
- Energieverwaltung (SMPS)
- Adapter
- Motorantriebe
- Batteriebetriebene Anwendungen
- Batterie-Management
- USV
- Leichte Elektrofahrzeuge