Die Bauteile setzen sowohl technologisch als auch preislich neue Maßstäbe und sind führend in der Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie. Sie verfügen über eine integrierte, schnelle Body-Diode, fortschrittliche Verbindungstechnologie und eine äußerst robuste Kommutierung und sind teilweise in Gehäusen mit Oberflächenkühlung verbaut. Dazu sind sie einfach zu bedienen und in bestehende Designs zu integrieren. Sie sind prädestiniert für eine Vielzahl an Power-Anwendungen im Bereich Telekommunikation, EV-Ladetechnik oder Erneuerbare Energien. Die MOSFETs sind in Reel-, bzw Tube-Verpackungen erhältlich.
Die Komponenten überzeugen durch ihren besonders niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) und können somit eine Effizienzsteigerung von 0,1 % gegenüber der C7-Version und sogar 0,17 % gegenüber P7 verzeichnen. Der optimierte RDS(on) ermöglicht zudem eine höhere Leistungsdichte, dadurch ist es möglich Produkte in einer siliziumbasierten Superjunction (SJ)-Technologie auf einen einstelligen Wert von 7 mO zu minimieren.
Als MOSFETs stellen sie mit einem zwischen 14 % und 42 % niedrigeren thermischen Widerstand (Rth), einer geringen Klingelneigung und der vereinfachten Bedien- und Integrierbarkeit eine Innovation auf Systemebene dar.
CoolMOSTM 8 und CoolMOSTM 7 im Direktvergleich.
Benefits auf einen Blick:
- Optimierter RDSon
- Integrierte schnelle Body-Diode
- Robuste Kommutierung
- Fortschrittliche Verbindungstechnologie
- Gehäuse mit Oberseitenkühlung
- Geringes unerwünschtes Oszillieren
- 14 - 42% niedrigerer Rth
- Vereinfachtes Portfolio
- Innovation auf Systemebene
Anwendungsbeispiele:
- Automotive
- EV-Charging, Solar- und Energiespeichersysteme - Endverbrauchergeräte:
- Klimaanlagen für Wohngebäude
- Kühlschrankkompressoren
- Ladegeräte, Adapter - Netzwerke und Telekommunikation:
- Server - Industrie
- USV-Anlagen
- Industrielle SMPS
- Relais, Schutzschalter - Beleuchtung