Der neue in einem Standard TO-247-Gehäuse angebotene Baustein hat einen typischen On-Widerstand von 50 mOhm bei einer transient zulässigen Spannung von 1000 V. Er kann in einer klassischen Halbbrückenschaltung Leistungen von 8 kW verarbeiten und dabei einen Wirkungsgrad von mehr als 99 Prozent erreichen. Die Schaltverluste durch Ron und Qoss bei resonanten Schalttopologien und Ron und Qrr bei hart schaltenden Topologien sind zwei- bis fünfmal geringer als bei herkömmlichen Superjunction-Technologien in der Produktion. Eine hochzuverlässige, JEDEC-qualifizierte Version ist voraussichtlich ab Q1 2020 lieferbar; Entwicklungsmuster sind bereits jetzt verfügbar, um 900-V-GaN-Systeme zu entwerfen.
Die 900-V-Plattform des Herstellers transphorm bietet höhere Reserven gegenüber 650-V-FETs beispielsweise bei erneuerbaren Energien, Automotive-Applikationen und verschiedenen industriellen Anwendungen. Sie ist für den Einsatz in brückenlosen totem-pole Power Factor Correction (PFC)-Halbbrückenkonfigurationen in DC/DC-Wandlern und Wechselrichtern konzipiert.