900-V-GaN-FET mit 50 mOhm im TO-247-Gehäuse

900-V-GaN-FET mit 50 mOhm im TO-247-Gehäuse
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900-V-GaN-FET mit 50 mOhm im TO-247-Gehäuse.
29.10.2019 | GaN gilt bislang als Material für niedrige Schaltspannungen. Mit einem von HY-LINE Power Components angebotenen 900-V-GaN-FET im TO-247-Gehäuse ist nun jedoch auch der Betrieb von Stromversorgungen mit GaN-Halbleitern an europäischen Drehstromnetzen möglich.

Der neue in einem Standard TO-247-Gehäuse angebotene Baustein hat einen typischen On-Widerstand von 50 mOhm bei einer transient zulässigen Spannung von 1000 V. Er kann in einer klassischen Halbbrückenschaltung Leistungen von 8 kW verarbeiten und dabei einen Wirkungsgrad von mehr als 99 Prozent erreichen. Die Schaltverluste durch Ron und Qoss bei resonanten Schalttopologien und Ron und Qrr  bei hart schaltenden Topologien sind zwei- bis fünfmal geringer als bei herkömmlichen Superjunction-Technologien in der Produktion. Eine hochzuverlässige, JEDEC-qualifizierte Version ist voraussichtlich ab Q1 2020 lieferbar; Entwicklungsmuster sind bereits jetzt verfügbar, um 900-V-GaN-Systeme zu entwerfen.

 

Die 900-V-Plattform des Herstellers transphorm bietet höhere Reserven gegenüber 650-V-FETs beispielsweise bei erneuerbaren Energien, Automotive-Applikationen und verschiedenen industriellen Anwendungen. Sie ist für den Einsatz in brückenlosen totem-pole Power Factor Correction (PFC)-Halbbrückenkonfigurationen in DC/DC-Wandlern und Wechselrichtern konzipiert.


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