Oefen für chemische Gasphasenabscheidung (ICP-CVD)

» Beitrag melden

Abgabetermin: 18.01.2021

Auftragsart: Lieferung

Archiv | 09.12.2020 | Oefen für hoher Dichte Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (ICP-CVD):

 

Die EPFL beabsichtigt ein Öfen für hoher Dichte Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (ICP-CVD) für ihre Reinraumeinrichtung (CMi). zu erwerben. Die Anlage wird auf dem neuesten Stand der Forschung in Siliziumnitrid basierend integrierten Mikroresonator-Soliton-Frequenzkämmen basierend auf gewidmet sein.


Im Hinblick auf die Bedürfnisse des EPFL und die spezifischen wissenschaftlichen Ziele seines Labors LPQM wird der Schwerpunkt auf folgende Forschungsbereiche gelegt:

  • Absheidung von SiO2 und Si3N4 Dünnschichten durch HDP-CVD-Prozesse mit SiH4.
  • Entwicklung von ICP-CVD Prozesse mit SiCl4 für wasserstofffreien absheidung von SiO2 und Si3N4 Dünnschichten.
  • In-situ-Entfernung von Metallverunreinigungen durch thermisches Glühen in Chlor (Cl2) -Atmosphäre.
  • In-situ-Filmbehandlung für Stress-Engineering und Verdichtung.
 

Bedarfsstelle/Vergabestelle:
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)

HINWEISE: Beachten Sie bitte die Eingabevorschriften. Dies ist keine amtliche Veröffentlichung. Massgebend sind die vom seco mit einer elektronischen Signatur versehenen SHAB-Daten. Die Adresse für die Unterlagen sowie eine detaillierte Beschreibung finden Sie auf der SSL-gesicherten Detailseite.