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900-V-GaN-FET mit 50 mOhm im TO-247-Gehäuse

Archiv | 29.10.2019 | GaN gilt bislang als Material für niedrige Schaltspannungen. Mit einem von HY-LINE Power Components angebotenen 900-V-GaN-FET im TO-247-Gehäuse ist nun jedoch auch der Betrieb von Stromversorgungen...