Ultradünne Drähte aus Silizium wachsen zu lassen – das ist heute ein
wichtiges Ziel in der Materialwissenschaft. Silizium-Drähte im
Nanometerbereich haben ganz spezielle chemische und physikalische
Eigenschaften, die sie zu einem höchst attraktiven Material für
Transistoren, Solarzellen oder speziellen LEDs machen. Allerdings sind
solche Silizium-Drähte sehr schwer herzustellen. An der Technischen
Universität Wien wurde nun eine neue Methode entwickelt, mit Hilfe eines
Ionenstrahls die winzigen Silizium-Drähte zum Wachsen zu bringen.
Gold als WachstumshelferWären wir Menschen so klein wie eine Ameise, hätten unsere Haare
umgerechnet etwa die Dicke der Nano-Drähte: Nur etwa hundert Nanometer
messen die Silizium-Fädchen, von denen man sich neue Möglichkeiten in
der Elektronik verspricht. Theoretisch können diese Silizium-Kristalle
ganz von selbst entstehen: Wenn ein kleiner Kristall von
siliziumhaltigem Gas umgeben ist, kann er einzelne Atome an sich binden
und Schicht für Schicht wachsen. Allerdings dauert das viel zu lang,
deshalb beschleunigt man beim heute weit verbreiteten
„Vapour-Liquid-Solid-Verfahren“ die Reaktion mit Gold, das als
Katalysator wirkt: „Winzige Goldtröpfchen auf den Nanodrähten können
Silizium-Atome adsorbieren, und durch das Gold hindurch zum Nanodraht
gelangen lassen, wo sich die Atome dann anlagern“, erklärt Alois
Lugstein vom Institut für Festkörperelektronik. Allerdings beeinflusst
das Gold die elektronischen Eigenschaften der Nanodrähte und vermindert
dadurch ihre Leistungsfähigkeit. Auch andere Herstellungsmethoden bringen entscheidende Nachteile mit sich: Manche
funktionieren nur bei sehr hohen Temperaturen, andere nur im
Ultrahochvakuum.
Gallium-Ionen: Besser als GoldElektrotechniker an der TU Wien gehen daher einen anderen Weg – und
kommen dabei ohne Gold oder extreme äußere Bedingungen aus: Mit Hilfe
eines fokussierten Ionenstrahls werden Gallium-Ionen in einen
Siliziumkristall knapp unter der Oberfläche implantiert. Danach wird das
Silizium auf 500°C erhitzt, wodurch die Gallium-Ionen an die Oberfläche
des Siliziumkristalls wandern. Nun spielen die Gallium-Ionen eine ganz
ähnliche Rolle wie die Goldtröpfchen im klassischen
„Vapour-Liquid-Solid-Verfahren“. In einer Atmosphäre, die das
siliziumhaltige Gas Silan enthält, lagert sich mit Hilfe der
Gallium-Ionen das Silizium am Kristall an. Dabei können extreme
Wachstumsraten von mehreren Mikrometern pro Minute erreicht werden – für
den Nanobereich eine fantastische Wachstumsrate.
Bei dieser Methode kann durch gezielten Beschuss mit Gallium-Ionen
präzise festgelegt werden, wo die Nanostrukturen wachsen sollen und wo
nicht. Das bewiesen die Wissenschaftler unter anderem dadurch, dass sie
einen Smiley aus Nanodrähten wachsen ließen – und dieses Bild schaffte
es sogar auf das Titelblatt der renommierten Fachzeitschrift
„Nanotechnology“ (siehe Foto).