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MOSFETs hocheffiziente Designs von Leistungsumrichtern
Archiv | 03.08.2011 | Die OptiMOS™ MOSFETs für mittlere Spannungsklassen von Infineon Technologies sind jetzt auch in CanPAK™-Gehäusen verfügbar. Diese Produkte werden in vielen industriellen Anwendungen eingesetzt, wie zum Beispiel DC-DC-Wandlern, Mikroinvertern, Maximum Power Point Trackern (MPPT) in Solaranlagen, Motorensteuerungen und Synchrongleichrichtung.
Die 60V-150V MOSFETs in
CanPAK™-Gehäusen ermöglichen Designs, die sich durch eine höhere
Leistungsdichte und Effizienz sowie ein optimales Wärmeverhalten
auszeichnen und dabei äußerst platzsparend sind. Das spart Kosten und
verlängert die Betriebslaufzeiten, was besonders interessant ist für den
Einsatz in Servern oder Anlagen im Bereich der erneuerbaren Energien.
Verglichen mit herkömmlichen diskreten Gehäusen, ermöglicht die
CanPAK™-Gehäuse-Konstruktion eine doppelseitige Kühlung und weist dabei
kaum gehäuse-spezifische, störende Induktivitäten auf. Das führt zu
einer höheren Effizienz bei einer deutlich kleineren Systemfläche. Der
sehr geringe Wärmewiderstand auf der Oberseite des CanPAK™-Gehäuses (1,5
K/W (Kelvin pro Watt) im Vergleich zu 55 K/W für ein herkömmliches
DPAK) erlaubt eine sehr effiziente Gerätekühlung.
Zusätzlich weisen die OptiMOS™-Produkte in CanPAK™ einen sehr geringen Einschaltwiderstand (R
DS(on)) und eine sehr niedrige Gate-Ladung (Q
g) auf. Dadurch ist das Gehäuse für eine hocheffiziente
Leistungsumwandlung optimiert. Die niedrige Gate-Ladung führt zu extrem
geringen Schaltverlusten in schnell schaltenden Anwendungen, wie
DC-DC-Wandlern im Bereich Telekommunikation, Solar-Mikroinvertern und
MPP-Trackern. Dank des industrieweit geringsten Einschaltwiderstands (R
DS(on)) weisen Infineons Produkte in CanPAK™ kaum
Leistungsverluste in Hochstrom-Anwendungen wie Motorsteuerungen auf.
Darüber hinaus sind sie auch sehr gut einsetzbar in Industrieanwendungen
wie Synchrongleichrichtungen in Schaltnetzteilen.
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